H/F Post-doctorant. Conception et fabrication de détecteurs moyen-infrarouge ultrarapides

Référence : UMR8520-STEBAR-007

  • Fonction publique : Fonction publique de l'État
  • Employeur : Centre national de la recherche scientifique (CNRS)
  • Localisation : 59652 VILLENEUVE D ASCQ (France)

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  • Nature de l’emploi Emploi ouvert uniquement aux contractuels
  • Nature du contrat Non renseigné
  • Expérience souhaitée Non renseigné
  • Rémunération (fourchette indicative pour les contractuels) 4200E brut mensuels avec experience € brut/an
  • Catégorie Catégorie A (cadre)
  • Management Non renseigné
  • Télétravail possible Non renseigné

Vos missions en quelques mots

Missions :
L'équipe Photonique THz de l'Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies (IEMN) souhaite recruter un Post-doctorant (18 mois). L’objectif du travail sera l'optimisation, la fabrication et la caractérisation electro-optique de photo-détecteurs pour la détection d'ondes moyen-infrarouge (5-15um, 20-60THz).
Activités :
Le candidat sera chargé de la conception, la fabrication et la caractérisation des photo-détecteurs. Pour ce faire, il devra :

-Optimiser le design des photo-détecteurs à l’aide des logiciels de simulation RF et photonique (CST, Lumerical, etc)).

-Réaliser les étapes de fabrication en environnement salle blanche (DAO des masques de lithographie, enduction résines, lithographie électronique/optique, métallisation, dépôts par PVD, gravure plasma).

-Caractériser les échantillons en cours de fabrication (AFM, profilomètre, microscopie optique et électronique, caractérisation électrique).

-Effectuer la caractérisation électrique et optique des échantillons réalisés.

Pour mener à bien cette mission, l'Ingénieur recruté s'appuiera sur l'expertise des membres de l’équipe Photonique THz, ainsi que de l'ensemble des personnels de la salle blanche. Le travail de caractérisation électrique et optique des détecteurs sera effectué en collaboration avec un doctorant.
Contexte de travail :
Le spectre du Moyen Infra Rouge (MIR) fait appel à des technologies très variées dans les domaines de l’optique et de l’optoélectronique. Dans ce contexte l’équipe «Photonique THz» de l’IEMN (THz-Photonics- Group publications) - qui propose ce contrat - développe depuis plusieurs années des photoconducteurs dont la bande passante électrique atteint à présent la centaine de GHz, un record de performance à ce jour [1,2]. Ces composants sont constitués de réseaux de photo-détecteurs à puits quantiques, couplés à des antennes plasmoniques. Nous avons notamment pu démontrer que leur bande passante électrique est limitée par le temps employé par les électrons photo-excités au-dessus des barrières de potentiel pour retourner dans le niveau fondamental des puits quantiques. Ce dernier, appelé temps de capture, est de l’ordre de quelques ps et dépend notamment de paramètres tels que la largeur des barrières de potentiel ou l’énergie de l’état excité. La bande passante peut donc potentiellement être module, et notamment élargie en modifiant le design quantique des photo-détecteurs. C’est l’un des aspects que l’on souhaite explorer dans ce projet. Un autre point clef est celui des antennes plasmonique. Ces dernières permettent en effet d’obtenir une surface de collection de la radiation MIR incidente supérieure à la surface physique des détecteurs, permettant ainsi de réduire le bruit de détection et donc d’augmenter la sensibilité par rapport aux dispositifs traditionnels. A présent, les photo-détecteurs emploient des antennes de type patch, mais nous souhaitons désormais explorer
Voir plus sur le site emploi.cnrs.fr...

Profil recherché

Competences :
• Candidat motivé, indépendant, rigoureux, capable de prendre l’initiative et d’apporter de nouvelles idées.
• Candidat capable de travailler en équipe.
• Connaissances solides en électromagnétisme, et optoélectronique.
• Compétences dans la simulation électromagnétique avec des logiciels de simulation de type CST Microwave Studio, HFSS ou Lumerical.

• Bonne connaissance des techniques de fabrication en salle blanche. Une première
expérience dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs (MEMS, diodes,
photodétecteurs, transistors...) en salle blanche est primordiale.

• Une expérience dans la caractérisation des dispositifs optoélectronique serait un plus.
Contraintes et risques :

Niveau d'études minimum requis

  • Niveau Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents
  • Spécialisation Formations générales

Langues

  • Français Seuil

Qui sommes-nous ?

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieur, de la Recherche et de l’Innovation.

C’est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 33 000 femmes et hommes (dont plus de 16 000 chercheurs et plus de 16 000 ingénieurs et techniciens), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines.

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À propos de l'offre

  • Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

  • Vacant
  • Chercheuse / Chercheur

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