Assistant ingénieur en techniques expérimentales (H/F)

Missions :
L’objectif du poste d'assistant ingénieur est d’étudier de nouvelles structures de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base d’AlₓGa₁₋ₓN et de transistors à effet de champ en diamant, afin de comprendre leurs propriétés de transport électronique et les mécanismes de claquage. Pour atteindre ces objectifs, une étude des défauts électriquement actifs dans les couches actives des transistors ou dans le substrat sera menée à l’aide de techniques de courant induit par faisceau d’électrons (EBIC) et de temps de vol (ToF-EBIC) dans un microscope électronique à balayage. Les résultats expérimentaux permettront de mieux comprendre les mécanismes de transport impliqués dans les différents composants, en les comparant avec des mesures I-V, C-V et d’effet Hall.


Activités :
- Utilisation autonome d'un microscope électronique à balayage,
- Réalisation autonome de mesures EBIC et ToF_EBIC,
- Analyse et modélisation des résultats,


Contexte de travail :
L'institut Néel est une unité propre de recherche fondamentale (UPR 2940) en physique de la matière condensée. Dans ce laboratoire grenoblois du CNRS, l'agent est affecté au pôle Optiques et microscopies sous la responsabilité d’un ingénieur de recherche du pôle, il travaillera principalement avec cet ingénieur et un enseignant chercheur de l’équipe Semiconducteur à grand gap qui pilote pour Néel le projet ANR auquel est rattaché ce poste.

Contexte scientifique :
L’électronique de puissance joue un rôle clé dans le cycle de production-stockage-distribution de l’énergie électrique, en particulier dans les technologies d’énergies renouvelables. La majorité de l’énergie électrique produite est consommée après avoir subi plusieurs transformations, dont une grande partie est réalisée par des convertisseurs électroniques de puissance. Les pertes d’énergie dans ces convertisseurs proviennent principalement de leurs dispositifs semiconducteurs de puissance. Actuellement, ces dispositifs reposent sur la technologie silicium (Si), mature et bien établie. Cependant, le silicium présente des limitations importantes en termes de capacité de blocage, de température de fonctionnement et de fréquence de commutation.

Ces limites ont ouvert de nouvelles opportunités d’amélioration de l’efficacité, notamment grâce au développement de semiconducteurs à large bande interdite (WBGS, pour Wide BandGap Semiconductors), tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Ces matériaux offrent des propriétés physiques supérieures à celles du silicium. Leurs champs électriques critiques élevés (≥ 2 MV/cm) permettent d’atteindre des tensions de blocage avec des couches épitaxiales plus fines, réduisant ainsi la résistance à l’état passant de deux ordres de grandeur dans la plupart des architectures de dispositifs. Les dispositifs à base de WBGS permettent de réduire les pertes par conduction et de fonctionner à des fréquences plus élevées,
Voir plus sur le site emploi.cnrs.fr...