Chercheur microscopie électronique et sciences des matériaux (H/F).

Missions :
Contribuer aux divers objectifs du projet en utilisant différentes techniques, notamment des techniques avancées de microscopie électronique à transmission telles que STEM/HAADF, EELS et EDX. Cet "expert" interagira avec les membres du groupe (scientifiques et post-doctorants) et complétera leurs résultats en fournissant des informations sur l’arrangement atomique et la redistribution des éléments chimiques à la suite d'un recuit thermique ou d'opérations en cellule PCM.
Activités :
- Préparer des lames minces par FIB à partir de couches déposées ou de dispositifs PCM sur plaques de 300 mm.
- Obtenir des images et des cartographies chimiques de couches polycristallines ou de dispositifs PCM par TEM et STEM (EELS, EDX).
- Rédiger des rapports et des publications
Contexte de travail :
Les mémoires à changement de phase (PCM) apparaissent comme une technologie alternative prometteuse pour surmonter les limites des mémoires flash. Les mémoires à changement de phase utilisent des films minces de matériaux chalcogénures, un alliage GeSbTe (GST), qui passe localement et de manière réversible de l'état cristallin à l'état amorphe à l'aide d'impulsions de chauffage (c'est-à-dire d'impulsions électriques). L'information est contenue dans la différence prononcée de conductivité électrique entre les phases cristalline et amorphe de l'alliage GeSbTe.
Des travaux récents, dont les nôtres, ont démontré qu'au-delà des mémoires numériques (2 bits), ces alliages peuvent également être utilisés pour fabriquer des mémoires multi-niveaux (plusieurs bits) se souvenant de leur "histoire", c'est-à-dire capables de reproduire l'activité synaptique et d'offrir des dispositifs pour l'intelligence artificielle.
Malgré leur énorme potentiel, le développement et l'industrialisation des PCM pour les nœuds avancés nécessitent une compréhension approfondie des phénomènes physiques impliqués dans les mécanismes de commutation et de stockage, et ce dans le cadre de dimensions réduites. Actuellement, la plupart des fabricants de circuits intégrés explorent le potentiel de ces matériaux, en collaboration avec des universitaires, et ce projet ne fait pas exception.
Dans ce contexte, le CEMES collabore avec STMicroelectronics dans le cadre d'un vaste projet pour lequel ce poste est octroyé. Les objectifs du projet se concentrent sur :
1) Identifier les mécanismes et les paramètres régissant la cristallisation dans les matériaux Ge-GST et les changements résultant du dopage avec des impuretés, dans des films minces et dans des cellules de taille nanométrique.
2) Comprendre l'influence de la morphologie des domaines GST (phases, taille des grains, vides...) sur les caractéristiques électriques du matériau et sur les performances et la fiabilité (dérive, rétention / cyclage) des PCMs basés sur ces matériaux.
3) Explorer la possibilité d'accéder à des états de résistivité intermédiaire (IRS) et d'imiter l'activité synapt
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