Doctorant H/F: fabrication et caractérisation de HEMT-InP sur substrat Silicium pour applications THz

Sujet de thèse :
L'objectif de la thèse est la fabrication et la caractérisation électrique de transistors de la filière InP-HEMT sur substrat Silicium. L'objectif est de développer une filière de transistors de fréquences de coupure THz sur substrat de Si pour répondre entre autre à la demande future des réseaux 6G. Cette thèse sera effectuée dans le cadre d'un contrat Européen associant des laboratoires académiques et industriels.
Contexte :
Le doctorat intégrera le groupe de recherche ANODE de l'Unité Mixte de Recherche IEMN, laboratoire partenaire du réseaux RENATECH, situé sur le campus Villeneuve d'Ascq de l'Université de Lille. Le groupe ANODE est constitué de 6 membres permanents (Enseignant-chercheurs et chercheur CNRS) et d'environ une dizaine de doctorants et post-doctorants. La plateforme de micro-nano-fabrication de l'IEMN est constituée d'une salle blanche de 1500m2 et est équipée d'un nombre important d'équipements de technologie semi-conducteur (lithographie ebeam, RIE, PECVD, ICP, SEM, AFM...). L'ensemble de ces équipements sera accessible à l'étudiant après formation pour l'équipe professionnelle de la salle blanche. La plateforme de caractérisation multiphysique sera aussi accessible au doctorat, en particulier les bancs de mesures on-wafer de paramètres S. Le doctorant sera suivi et conseillé dans ses travaux de recherche durant ces 3 années de thèse, par 2 enseignant-chercheurs.