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Doctorant ou doctorante – Etude de jonctions p-n à base de Ga2O3 pour l'application de diodes de haute

Référence : UMR8635-KARBRE-017

  • Fonction publique : Fonction publique de l'État
  • Employeur : Centre national de la recherche scientifique (CNRS)
  • Localisation : 78035 VERSAILLES (France)
Domaine : Recherche
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  • Nature de l’emploi Emploi ouvert uniquement aux contractuels
  • Nature du contrat Non renseigné
  • Expérience souhaitée Non renseigné
  • Rémunération (fourchette indicative pour les contractuels) La rémunération est d'un minimum de 2200,00 € mensuel € brut/an
  • Catégorie Catégorie A (cadre)
  • Management Non renseigné
  • Télétravail possible Non renseigné

Vos missions en quelques mots

Sujet de thèse :
Les défis énergétiques et de la réduction des émissions de CO2 engendrent la demande d’une électronique permettant d’augmenter toujours la densité de puissance et l’efficacité de commutation/conversion. Ces enjeux ont généré des développements considérables dans le domaine des matériaux semi-conducteurs à grand gap (SiC, GaN). En effet, ce sont matériaux de base pour les applications en électronique de moyenne puissance dans le secteur des automobiles hybrides/électriques.
Au-delà de cette gamme de puissance - applications dans le domaine de la distribution du courant (smart grid) ou des transports (ferroviaire)-, il faut se tourner vers des matériaux moins matures présentant des énergies de bande interdite (supérieur à 4 eV). Le projet porte sur un défi scientifique d’étude des propriétés physique deux oxydes potentiellement intéressant pour future électronique : Ga2O3, oxyde semiconducteur à grande bande interdite (~5 eV) facilement dopable pour obtenir un type n et NiO qui peut être de type p. L'objectif du projet global est l'élaboration de couches épitaxiales, l’étude fondamentale et approfondie de leurs propriétés électroniques, principalement l'identification de défauts ponctuels et l'étude du mécanisme de conductivité électrique, en relation avec d'autres propriétés physiques.
La thèse portera en particulier sur la fabrication et l'étude de diode p-n verticale basée sur une hétérostructure NiO/Ga2O3.

Activités principales :
- dépôt de film mince NiOx par pulvé RF
- Etudes physiques de films minces de Ga2O3 dopés et NiOx:
- Diffraction des rayons X
- AFM
- EPR spectroscopie
- Préparation des contacts électriques (Ohmic/Schottky) : Photo-lithographie ; pulvérisation RF de métaux ; recuit thermique rapide
- Caractérisations I-V en fonction de la température
- Effet Hall, mesures de résistivité dans la gamme [2K-850K]
- Mesures C-V
- Transmittance/réflexion optique
- Analyse/interprétation des données
Activités secondaires :
- Très forte implication dans la communication scientifique : réunions/conférences/publications du consortium
- Formation et partage des connaissances avec les étudiants en doctorat et en master travaillant au GEMaC et chez les partenaires du projet

Compétences requises
Une expérience de recherche sur le Ga2O3 (ou un autre oxyde à large bande interdite) est nécessaire (stage M2 par exemple)
Autres compétences attendues :
- Connaissance approfondie de la physique des semi-conducteurs à large bande interdite : propriétés électroniques, identification des défauts ponctuels ;
- Expérience de :
- Dépôt et caractérisation de contacts électriques ; mesures de transport électrique (I-V ; C-V ; effet Hall)
- Chemical Vapor Deposition (CVD), Pulvérisation RF pour dépôts de couches minces
- Disponibilité pour des déplacements en France et à l'étranger.
- Français et anglais : oral et écrit (niveau B2/C1)
- Très bonne capacité de communication (s
Voir plus sur le site emploi.cnrs.fr...

Profil recherché

Contraintes et risques :
Les attendus du projet répondront à des délais courts avec des cycles d'activités intenses.de nombreux déplacements sont prévus auprès des partenaires du projet, en particulier à l'INSP, à Paris.
La thèse se déroulera dans le cadre d'un projet labellisé d'intérêt stratégique national. Le secteur du recrutement relève de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que le recrutement soit autorisé par l'autorité compétente du MESR.

Niveau d'études minimum requis

  • Niveau Niveau 7 Master/diplômes équivalents
  • Spécialisation Formations générales

Langues

  • Français Seuil

Qui sommes-nous ?

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieur, de la Recherche et de l’Innovation.

C’est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 33 000 femmes et hommes (dont plus de 16 000 chercheurs et plus de 16 000 ingénieurs et techniciens), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines.

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À propos de l'offre

  • Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

  • Vacant

  • Chercheuse / Chercheur

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