[H/F] Ingénieur assistant pour la caractérisation des mécanismes de déformation plastique dans les maté

Missions :
Dans les matériaux métalliques polycristallins, l'évaluation quantitative et statistique de l'activité plastique en relation avec les paramètres microstructuraux (taille des grains, phases, état de précipitation, etc.) et les conditions environnementales (haute température, atmosphère oxydante, etc.) est essentielle pour comprendre les mécanismes de déformation en relation avec les contraintes mécaniques et les chemins de contrainte. La déformation plastique est souvent localisée sous forme de bandes à l'intérieur des grains, appelées bandes de glissement, qui apparaissent et persistent pendant le chargement, reflétant le mouvement collectif des dislocations. Ces bandes de localisation de la déformation plastique et leur évolution en fonction de la microstructure lors de la déformation du matériau sont susceptibles d'être à l'origine de l'endommagement. Il est donc nécessaire de pouvoir cartographier précisément la localisation de la déformation au sein des agrégats polycristallins afin d'identifier les configurations critiques pouvant conduire à l'initiation de fissures, et de comprendre quels sont les facteurs à l'origine de ces mécanismes de déformation.
Différentes techniques expérimentales permettent aujourd'hui de mesurer les champs de déformation et d'appréhender la localisation de la plasticité. Elles nécessitent généralement l'utilisation de systèmes d'imagerie à haute résolution, tels que le microscope électronique à balayage (MEB), la microscopie confocale à balayage laser (LSCM), la microscopie à force atomique (AFM), etc. L'utilisation couplée du MEB et de la corrélation d'images numériques (CIN) est souvent utilisée et décrite comme une approche efficace pour la détermination expérimentale des champs de déformation à l'échelle de la microstructure. Le principe repose sur la mesure du champ de déplacement de la surface d'un échantillon soumis à une charge à partir de deux images acquises à deux instants de charge distincts (généralement un état de référence non déformé et un état déformé). L'utilisation d'un motif de speckle est généralement nécessaire pour suivre la même zone d'intérêt entre les deux états considérés. En dérivant les champs de déplacement, cette technique permet ensuite d'extraire les champs de déformation continus dans l'agrégat polycristallin. Il est ainsi possible d'observer des bandes de glissement, localisées sous forme de traces discontinues à la surface des métaux déformés.
En outre, l'EBSD (Electron BackScatter Diffraction) est une technique d'analyse cristallographique également utilisée en conjonction avec le MEB pour obtenir des informations sur l'orientation locale du réseau cristallin et, par conséquent, une série d'informations sur la microstructure : taille et morphologie des grains, joints de grains, désorientations entre grains voisins ou dans le cœur du grain si l'échantillon a été déformé. Les analyses EBSD à haute résolution nous perme
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