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(H/F)Development of a “universal” multipurpose, sustainable virus sensor based on graphene-based field

Référence : UMR8520-HENHAP-009

  • Fonction publique : Fonction publique de l'État
  • Employeur : Centre national de la recherche scientifique (CNRS)
  • Localisation : 59652 VILLENEUVE D ASCQ (France)
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  • Nature de l’emploi Emploi ouvert uniquement aux contractuels
  • Nature du contrat Non renseigné
  • Expérience souhaitée Non renseigné
  • Rémunération Fourchette indicative pour les contractuels à partir de 3021,50 € selon expérience € brut/an Fourchette indicative pour les fonctionnaires Non renseignée
  • Catégorie Catégorie A (cadre)
  • Management Non renseigné
  • Télétravail possible Non renseigné

Vos missions en quelques mots

Missions :
Les matériaux bidimensionnels (2D) sont très prometteurs pour les applications futures en nanoélectronique, les transistors à effet de champ (FET) étant des candidats idéaux pour la biodétection. Les FET sont des dispositifs à trois bornes qui utilisent un champ électrique pour contrôler le comportement électrique et la résistance d'un canal (ici constitué de graphène) entre deux électrodes. Le choix de l'emplacement de la grille revêt une importance capitale pour les applications de biodétection.1 Si l'utilisation d'une grille arrière continue de susciter l'intérêt de la communauté des capteurs, les capteurs à grille coplanaire1, 2 et capacitifs interdigités3, 4 ont commencé à dominer ce domaine. De plus, la taille du biorécepteur déterminera les performances de détection.
G-Virals envisagera des conceptions innovantes de GFET enterrés à grille arrière, coplanaires avec des éléctrodes interdigitées. Se concentrer sur l'identification des virus par séquençage de troisième génération permettra de répondre au besoin d'identifier le virus et à l'aspect polyvalent de l'appel à projets.

Activités :
Dans le cadre du consortium du projet G-virals, l'objectif de ce post-doctorat consistera à développer un GFET à grille arrière robuste et fiable. Le gain du dispositif doit être amélioré afin d'augmenter la sensibilité des capteurs.
Les principales tâches seront les suivantes :
- Amélioration du processus de fabrication des FET à grille arrière (exploration de nouveaux diélectriques de grille afin de réduire leur épaisseur tout en maintenant un faible courant de fuite de grille)
- Fabrication de GFET à grille arrière
- Caractérisation électrique des GFET à grille arrière

Contexte de travail :
Le candidat rejoindra le groupe CARBON de l'IEMN. L'IEMN est l'une des principales unités nationales de recherche dans le domaine de la microélectronique et des nanotechnologies. Le CNRS-IEMN dispose d'installations techniques exceptionnelles dans le domaine de la nanofabrication et de la caractérisation. Ses installations comprennent une salle blanche ISO6 de 1 600 m² équipée d'outils de nanofabrication, dont un nouveau réacteur MBE dédié à la croissance des TMD. La plateforme de caractérisation électrique DC et RF regroupe des équipements courants pour mesurer les performances des dispositifs électriques.
Le candidat fabriquera les dispositifs 2D dans les salles blanches ultramodernes de l'IEMN. Après la fabrication, il caractérisera leurs propriétés en courant continu dans le laboratoire de caractérisation de l'IEMN, qui est entièrement équipé de stations de test en courant continu et haute fréquence jusqu'à la gamme THz.
Ce projet permettra donc d'acquérir des connaissances avancées en nanofabrication et en caractérisation électrique de nanodispositifs novateurs.

Profil recherché

Competences :
Dans le cadre du consortium du projet G-virals, l'objectif de ce post-doctorat consistera à développer un GFET à grille arrière robuste et fiable. Le gain du dispositif doit être amélioré afin d'augmenter la sensibilité des capteurs.
Les principales tâches seront les suivantes :
- Amélioration du processus de fabrication des FET à grille arrière (exploration de nouveaux diélectriques de grille afin de réduire leur épaisseur tout en maintenant un faible courant de fuite de grille)
- Fabrication de GFET à grille arrière
- Caractérisation électrique des GFET à grille arrière

Contraintes et risques :
Rien à signaler

Niveau d'études minimum requis

  • Niveau Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents
  • Spécialisation Formations générales

Langues

  • Français Seuil

Qui sommes-nous ?

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieur, de la Recherche et de l’Innovation.

C’est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 33 000 femmes et hommes (dont plus de 16 000 chercheurs et plus de 16 000 ingénieurs et techniciens), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines.

En savoir plus sur l'employeur

À propos de l'offre

  • Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

  • Vacant
  • Chercheuse / Chercheur

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