Ingénieur·e en optoélectronique Quantique Intégrée H/F

Missions :
L'Ingénieur·e en optoélectronique quantique intégrée sera amené.e à développer des dispositifs AlGaAs/SOI à semi-conducteurs intégrés pour la génération et la manipulation d'états quantiques de la lumière ou des circuits photoniques quantiques plus complexes.
Activités :
* Conception, fabrication et caractérisation de dispositifs photoniques à semi-conducteurs intégrés.
* Développement de modèles théoriques et de simulations pour prédire les performances des dispositifs photoniques intégrés.
* Travail avec des étudiant.es en doctorat et avec les autres membres du groupe ainsi qu'avec des collaborateurs externes pour la caractérisation des dispositifs dans le régime quantique et leur utilisation dans des protocoles d'information quantique.
* Participation active à la publication des résultats de recherche dans des revues scientifiques de haut facteur d’impact et à leur présentation dans des conférences nationales et internationales.
Contexte de travail :
Le projet vise à pousser plus loin les fonctionnalités des dispositifs AlGaAs développés par l'équipe Information et Technologie Quantiques en termes d'injection électrique dans des dispositifs monolithiques et hybrides (AlGaAs/SOI), pour la manipulation d'états quantiques dans des guides d'ondes simples ou des circuits photoniques quantiques plus complexes, ouvrant ainsi la porte à des applications en communication, informatique et métrologie quantiques.
L'équipe Information Quantique et Technologies du Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques (UMR7162) recrute un ingénieur hautement qualifié pour travailler dans le domaine de la photonique quantique intégrée non-linéaire. Le candidat retenu travaillera dans un environnement de recherche hautement collaboratif, aura accès à des équipements de pointe pour la fabrication et la caractérisation de dispositifs, et contribuera au développement de nouveaux dispositifs optoélectroniques avec des applications dans les technologies quantiques.
L'équipe a une forte visibilité à l’international dans le développement de dispositifs semi-conducteurs pour la génération et la manipulation d'états quantiques de la lumière, qui exploitent des degrés de liberté discrets et continus de la lumière. Le matériau exploité, l'AlGaAs, présente plusieurs atouts dans le paysage des plates-formes pour la photonique quantique intégrée, qui ont été exploités pour atteindre plusieurs résultats clés : bande interdite directe permettant l'intégration monolithique du laser de pompe et du SPDC interne, techniques de fabrication matures pour le développement de circuits photoniques quantiques, forte non-linéarité de second ordre conduisant à des taux de génération de paires élevés, grande polyvalence dans l'ingénierie de l'état biphotonique, utilisation des dispositifs dans plusieurs protocoles d'information quantique.