Offre poste Ingénieur d'Etude - Optimisation de commutateur RF (H/F)

Missions :
Les étages RF frontaux évoluent en permanence pour supporter les normes associées aux derniers standards de communication. Chaque nouvelle génération s’accompagne de spécifications de plus en plus strictes en ce qui concerne la bande passante, les pertes, la linéarité et le bruit. Par conséquent, l’ingénierie de conception RF est continuellement en besoin de solutions technologiques pour pouvoir répondre à ces spécifications exigeantes. Les interrupteurs RF sont des composants importants des systèmes RF frontaux car ils permettent de propager sélectivement le signal à travers les chemins d'émission/réception à l'aide de commutateurs d'antenne, de puissance et de diversité pour répondre au nombre croissant de normes de communication. Il existe une demande pour des commutateurs à nombre élevé de pôles afin de pouvoir prendre en charge l'intégration de différentes normes de communication GSM, TD-SCDMA, WCDMA et LTE dans la même puce. Un autre exemple de l'utilisation exigeante des commutateurs est donné par l'agrégation de porteuses (CA) qui est une caractéristique clé des normes LTE-advanced et 5G. L'agrégation de porteuses impose de nouvelles spécifications extrêmement strictes en termes de bande passante opérationnelle, de perte d'insertion, d'isolation, de linéarité et de tenue en puissance.
La transmission de signal dans un commutateur RF est gouvernée par un système du premier ordre dont la constante de temps Tau=Ron.Coff constitue un facteur de mérite (FoM) essentiel des commutateurs RF qui détermine sa bande passante.
Actuellement la technologie RF SOI partiellement déplétée rencontre un énorme succès sur le marché des circuits de module front-end RF et constitue la technologie de commutateurs la plus répandue pour le meilleur compromis atteint en termes de i) résistance à l’état passant Ron, ii) capacité à l’état bloqué Coff, iii) métrique Tau=Ron.Coff, iv) tension de claquage BVDS sous forte puissance RF et v) rapport coût/performance. L’amélioration des performances de commutateurs RF représente un exercice de compromis difficile étant donné le niveau d’optimisation que l’ingénierie de transistor MOS a atteint aujourd’hui. A titre d’exemple, tout ce qui tend à améliorer un paramètre (ex : réduction de Ron) contribue à détériorer les autres (ex : réduction de BVDS et de Coff).
Au-delà des leviers d’optimisation évidents que constituent l’épaisseur du film silicium sur isolant tSOI et de la longueur effective de grille du switch LG, l'introduction du substrat SOI (Silicon-on-Insulator) à haute résistivité ( plus de 1 kohm.cm) a constitué une percée pour l'épanouissement des technologies RF sur silicium. Un grand nombre de démonstrations de commutateurs a été rapporté depuis une décennie. Les dernières innovations dans le domaine des substrats SOI a conduit au développement de deux types de plaquettes : le substrat SOI à haute résistivité (HR-SOI) et le substrat SOI introduisan
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