H/F CDD Chercheur: Modélisation et conception de circuit à base de dispositifs multiferroïques

Missions :
L’expansion rapide de l’intelligence artificielle a généré une demande mondiale pour des systèmes informatiques capables de gérer des flux massifs de données tout en réduisant drastiquement la consommation d’énergie. Dans le cadre du programme national français PEPR SPIN, notre équipe étudie des concepts innovants de circuits et de dispositifs basés sur le spin et les multiferroïques, visant à permettre un traitement de l’information radicalement économe en énergie.

Les avancées récentes en spintronique et en ferroélectricité montrent que la combinaison des paramètres d’ordre magnétique et électrique dans des jonctions tunnel multiferroïques (MFTJ) peut débloquer de nouveaux mécanismes de commutation non-volatils et à faible consommation d’énergie. Ces dispositifs émergents offrent des perspectives prometteuses pour les architectures matérielles de nouvelle génération, neuromorphiques et économes en énergie. Les premiers concepts – tels que la porte logique MESO d’Intel – illustrent le potentiel transformateur des technologies multiferroïques et motivent une exploration scientifique plus approfondie.

Le projet MULTISPIN vise à faire progresser ce domaine en établissant des modèles prédictifs et en évaluant le comportement au niveau circuit des dispositifs MFTJ basés sur des matériaux bidimensionnels (2D) de type van der Waals (vdW). Leur capacité d’ajustement intrinsèque – permettant le contrôle électrique du magnétisme, des interfaces atomiquement nettes et un couplage fort – fournit une base riche pour la modélisation des dispositifs et l’innovation en circuits.

Nous recherchons un(e) chercheur(e) postdoctoral(e) disposant d’une solide expertise en modélisation de la physique des dispositifs, en développement de modèles compacts et/ou en simulation de circuits. Le/la candidat(e) retenu(e) devra :
• Développer des modèles physiques et compacts décrivant le comportement magnétoélectrique et mémristif des MFTJ à base de matériaux vdW.
• Implémenter ces modèles dans des environnements standards de simulation de circuits.
• Explorer le comportement de petits circuits (par exemple, portes logiques élémentaires, cellules de commutation, éléments de mémoire simples) intégrant des MFTJ.
• Collaborer étroitement avec des partenaires expérimentaux afin de valider et d’affiner les modèles à partir de données mesurées.
Ce poste offre l’opportunité de contribuer à une recherche de pointe à l’interface de la physique de la matière condensée, de la science des matériaux et de la modélisation des dispositifs et des circuits, au sein d’un environnement international et multidisciplinaire. Les candidatures de personnes de toutes nationalités et de tous horizons sont fortement encouragées.

Activités :
• Développer des modèles physiques et compacts décrivant le comportement magnétoélectrique et mémristif des MFTJ à base de matériaux vdW.
• Implémenter ces modèles dans des environnements standards d
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